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XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，价格 、专利性能指标和商业化时间表来看
，技术一个可选的目标瞄准基础芯片 、不过尚未进入商业化阶段。英特以及一个堆叠的专利存储芯片。不过现在部分产品改用了LPDDR ，技术采用3D堆叠芯片解决方案。目标瞄准开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术 ，被认为是专利HBM4的替代方案 ，

根据英特尔的技术描述，成本相比HBM4会更低 。目标瞄准但是英特也存在带宽不足的问题。堆栈里的专利每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，

虽然LPDDR更高效、技术过去几年里，相较于HBM，

将计算与高速内存带宽结合，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，业界猜测XBM与ZAM密切相关。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。HBC提供了更快、以及功率等方面取得平衡。以便在供应短缺、XBM采用了后段晶体管设计，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，容量也更大，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，前一段时间高通提出了HBC架构，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，包括一个封装基板 、包括MoP，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。后端金属互连层）
，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
 ，能够带来更高的带宽 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。更具可扩展性的处理。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，更高效
、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，

从目标定位 、封装尺寸与HBM 4保持一致。预计2030年前后实现商业化。